Ограничения и недостатки Non ECC Unbuffered Memory:
Non ECC Unbuffered Memory имеет несколько ограничений и недостатков, которые могут оказывать влияние на работу компьютера и его надежность:
-
Отсутствие исправления ошибок (ECC): Non ECC Unbuffered Memory не обладает функцией исправления ошибок (ECC), которая позволяет обнаруживать и исправлять ошибки памяти. Это означает, что если происходит ошибочная запись или чтение данных из памяти, компьютер может работать с неправильными или поврежденными данными, что может привести к сбоям системы или ошибкам программ.
-
Ограниченная ёмкость и пропускная способность: Non ECC Unbuffered Memory имеет ограниченную ёмкость, поэтому вы не сможете установить больше памяти, чем поддерживает ваша система. Кроме того, пропускная способность памяти также ограничена, что может оказывать влияние на скорость работы компьютера, особенно при выполнении задач, требующих большого объема данных.
-
Возможность возникновения ошибок: В отсутствие функции исправления ошибок (ECC), Non ECC Unbuffered Memory более подвержена возникновению ошибок, вызванных электрическими помехами или другими факторами. Это может привести к непредсказуемым сбоям системы или потере данных, что может быть неприемлемо в критических ситуациях или для длительной работы без перезагрузки.
-
Более высокая стоимость ECC памяти: ECC память, обладающая функцией исправления ошибок, обычно имеет более высокую стоимость в сравнении с Non ECC Unbuffered Memory. Это может быть фактором, который мешает пользователям выбрать ECC память для своих систем из-за бюджетных ограничений.
Учитывая эти ограничения и недостатки, выбор между Non ECC Unbuffered Memory и ECC памятью зависит от конкретных требований пользователя, а также от критичности работы системы и необходимости обеспечения высокой надежности и стабильности.
Как работает Unbuffered ECC
Unbuffered ECC (Error-Correcting Code) — это технология, которая используется для обнаружения и исправления ошибок в памяти компьютера. Она особенно полезна в системах, где надежность и целостность данных являются критическими факторами, таких, например, как серверы или рабочие станции для научных вычислений.
Чтобы понять, как работает Unbuffered ECC, нужно сначала понять, что такое ECC. ECC — это метод исправления ошибок, который основан на добавлении дополнительной информации (кодовой побитовой проверки) к данным, которые записываются в память. Эта дополнительная информация позволяет обнаружить и исправить ошибки, возникающие в процессе хранения и передачи данных.
Unbuffered ECC отличается от других реализаций ECC, таких как Registered ECC или Fully Buffered ECC, тем, что использует незарегистрированные модули памяти. Это означает, что память напрямую подключена к контроллеру памяти процессора, без использования буферов или регистров.
Когда данные записываются в Unbuffered ECC память, кодовая побитовая проверка автоматически генерируется и записывается вместе с данными. При чтении данных, контроллер памяти сравнивает кодовую побитовую проверку с фактическими данными, и если обнаруживает ошибку, пытается исправить её с использованием дополнительной информации.
Unbuffered ECC может исправлять одну ошибку и обнаруживать две ошибки в одном бите данных. Он также может обнаруживать и исправлять ошибки, которые возникают во время передачи данных по шине памяти, такие как шумы или помехи. Это позволяет улучшить стабильность и надежность работы компьютера.
Использование Unbuffered ECC требует специальной памяти, которая поддерживает эту технологию. Обычно это ECC DIMM (Dual In-Line Memory Module), который имеет дополнительные чипы для генерации и проверки кодовой побитовой проверки. Перед использованием Unbuffered ECC, убедитесь, что ваша система и материнская плата поддерживают эту технологию и что установлены совместимые модули памяти.
Память памяти (ROM у RAM)
В процессе загрузки компьютера при прохождении процедуры Power-On Self-Test (POST) система узнает, какие модули памяти установлены и какие у них параметры. Кто им это сообщает?
Давайте присмотримся к модулю Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Примерно в середине платы, аккурат над вырезом разъема примостилась небольшая микросхема. Разберемся, для чего она нужна.
SPD
Небольшой чип – это SPD (Serial Presence Detect), который хранит информацию о параметрах модуля памяти. Производители тестируют каждую микросхему, проверяя, на какой частоте и с какими таймингами можно получить стабильную работу. Затем чипы со сходными характеристиками собираются вместе и устанавливаются на DIMM модуль.
Частоты работы, тайминги, данные о производителе и некоторая другая информация – все хранится в этой маленькой микросхеме, и все это считывается в процессе запуска компьютера до загрузки операционной системы. Эта информация позволяет точно настроить режим обмена с RAM.
В определенной мере данную микросхему можно сравнить с BIOS материнской платы, правда, с большими ограничениями по объему информации и узкой направленностью для обслуживания исключительно данного DIMM.
XMP
Многие модели RAM имеют также поддержку XMP. Это разработанный Intel стандарт работы памяти Extreme Memory Profile (XMP). Как можно догадаться из названия, это некий «экстремальный» режим работы модуля. Так и есть, по сути, это выполненный уже на заводе разгон, которым можно и нужно воспользоваться. В результате увеличится частота памяти, изменятся тайминги, напряжение питания.
Правда, при соблюдении некоторых условий:
- Материнская плата имеет возможность использования XMP профиля.
- Процессор поддерживает необходимую скорость работы.
Профиль XMP необходимо вручную включить в BIOS материнской платы. По умолчанию установленный DIMM будет работать на некоей штатной частоте, скажем, 2 133 МГц, 2 400 МГц и т. п. Например, комплект из двух модулей Ballistix BL2K8G26C16U4R в штатном режиме работает на частоте 2 666 МГц с таймингами 19-19-19-43, а при активации XMP получаем уже 3 200 МГц при таймингах 16-18-18-36 при напряжении питания 1.35 В.
Значения профиля XMP прописаны в той же микросхеме, что и SPD. При этом никто не запрещает самостоятельно поэкспериментировать с параметрами RAM – изменить частоту, увеличить/уменьшить основные задержки, поиграться с напряжением. Естественно, это на ваш страх и риск с шансом на нестабильную работу, синие экраны и прочие подобные «удовольствия».
Опять-таки при условии, что материнская плата позволяет вручную изменять эти параметры, т. е. в ней используются чипсеты с поддержкой разгона памяти. У AMD это X570, B550, а у Intel это можно делать на Z590, W580, H570, B560.
Получить данные об установленных модулях памяти в вашей систем можно, если в командной строке ОС Windows ввести:
Вы получите информацию об установленных DIMM. Правда, для DDR4 параметр MemoryType скорее всего отобразит 0.
Технология[]
Файл:FB-DIMM system organization.svg
Схема системы, использующей FB-DIMM.
Архитектура Fully Buffered DIMM вводит новую микросхему Advanced Memory Buffer (AMB), расположенную между контроллером памяти и чипами DRAM. В отличие от параллельной шины, используемой в традиционных системах DRAM-памяти, в FB-DIMM используется последовательная шина между контроллером памяти и AMB. Так достигается увеличение «ширины» (канальности) памяти без чрезмерного увеличения количества контактов контроллера памяти. В архитектуре FB-DIMM контроллер памяти не занимается непосредственной записью в чипы памяти; эта функция перенесена в AMB. В этом чипе происходит регенерация и буферизация сигналов. В дополнение AMB реализует обнаружение и коррекцию ошибок. С другой стороны, наличие AMB с промежуточным буфером увеличивает латентность.
Используется пакетный протокол, кадры могут содержать данные и команды. Среди команд можно выделить команды DRAM (активация строки — RAS, чтение столбца — CAS, обновление — REF и др.), команды управления каналом (например, запись в конфигурационные регистры), команды синхронизации. Каналы связи несимметричны и однонаправлены, от основного контроллера памяти следует канал шириной 10 бит (10 диф. пар) для команд и для данных, к нему шириной 14 бит — для данных и для статусных сообщений. AMB чипы одного канала памяти организуются в цепочки, то есть шина от контроллера памяти следует на первый AMB канала. Каждый последующий AMB подключается по принципу точка-точка к предыдущему.
Канал FB-DIMM работает на частоте, в 6 раз большей частоты DIMM, например для FB-DIMM на базе чипов памяти DDR2-533 (частота 533 МГц) дифференциальный канал будет работать на частоте 3,2 ГГц. Для передачи одного кадра требуется 12 циклов шины. Размер кадра от контроллера памяти к AMB равен 120 битам, размер кадра от AMB равен 168 битам. Кадры содержат CRC и заголовок.
Пропускная способность одного канала на чтение у FB-DIMM совпадает с таковой у соответствующего модуля DDR2 или DDR3 (при одинаковой частоте чипов памяти). Пропускная способность по записи у FB-DIMM в 2 раза ниже чем у DDR*, однако, в отличие от полудуплексного DDR, FB-DIMM позволяет производить и чтение и запись одновременно.
FAQs
– Can We Insert DIMM RAMs Into UDIMM Slots?
Yes, there is a register between the DRAM and the system memory controller, called Buffered Memory, or Registered Memory. Because of this, a single system can be stable with multiple memory modules while putting less electrical load on the memory controller. A conventional memory that is not buffered or unregistered can be compared directly to registered memory.
So, if you’re wondering whether UDIMMs can be used with DIMM RAMs, the answer is yes. If the two RAM modules are the same, you can easily insert a DIMM RAM in UDIMM slots. A good example is inserting a DDR3 DIMM into a DDR3 UDIMM slot. All DDR1/2/3/4/5 slots are of the same type in this case. It is not possible to use a DDR4 DIMM with a DDR3 DIMM.
– Is UDIMM Faster Than DIMM?
There is an additional buffer between the memory controller and DRAM in DIMMs. Therefore, UDIMMs offer faster performance at lower prices at the expense of stability.
Емкость
DDR4 DIMM и UDIMM также различаются по емкости. DIMM может содержать более одной банки памяти, что означает, что емкость DDR4 DIMM обычно выше, чем у UDIMM.
Например, DDR4 DIMM может иметь емкость от 2 ГБ до 64 ГБ на один модуль. В то время как емкость UDIMM может быть около 16 ГБ на модуль. Это связано с тем, что DIMM разработаны для работы с более широким спектром задач в вычислительных системах, в то время как UDIMM – это более обычный тип памяти для использования в домашних компьютерах.
Эта разница в емкости может иметь большое значение для пользователей, которые работают в сложных вычислительных системах, таких как игровые ПК или научные вычисления. В таких случаях DDR4 DIMM может быть лучшим выбором благодаря более высокой емкости и большей производительности.
Улучшение производительности с помощью Udimm
Udimm (unbuffered dual in-line memory module) – это разновидность оперативной памяти для компьютеров и серверов. Он предлагает ряд преимуществ, которые могут значительно улучшить производительность системы.
Во-первых, Udimm обеспечивает быструю передачу данных благодаря использованию двунаправленной шины. Это позволяет увеличить пропускную способность памяти и ускоряет работу приложений, особенно тех, которые требуют больших объемов данных.
Во-вторых, использование одного юнипакета вместо двух пакетов внутри памяти делает модуль более компактным и эффективным. Это позволяет установить больше модулей памяти на материнскую плату, что может в свою очередь увеличить общий объем памяти и улучшить производительность системы.
В-третьих, Udimm поддерживает ECC (error-correcting code) – технологию, которая позволяет исправлять ошибки в памяти
Это важно для серверов и компьютеров, где неправильное чтение или запись данных может стать критической проблемой. Корректировка ошибок помогает предотвратить возникновение сбоев и снижает риск потери данных
Кроме того, Udimm обычно имеет более низкое энергопотребление по сравнению с другими типами памяти. Это означает, что система работает более эффективно и имеет меньшую нагрузку на источник питания. Улучшенная энергоэффективность также может привести к снижению затрат на охлаждение и повышению надежности системы.
В целом, использование Udimm может привести к значительному повышению производительности вашей системы. Улучшенная пропускная способность, больший объем памяти, поддержка ECC и более низкое энергопотребление – все это важные факторы, которые делают Udimm привлекательным выбором для многих пользователей.
Устройство RAM
В основе современной DRAM лежит ячейка, выполненная по схеме 1T1C, т. е. один транзистор (Transistor) и один конденсатор (Capacitor). Схема такой ячейки приведена на иллюстрации ниже.
Если на обкладках конденсатора есть заряд, то при обращении к транзистору ячейки напряжение на нем говорит нам, что в ячейке хранится логическая «1». Если же конденсатор разряжен, то напряжение будет равным нулю и, соответственно, ячейка содержит «0».
Ячейки объединены в большие двумерные массивы, или матрицы, а доступ к каждой конкретной ячейке осуществляется при помощи двух шин – строки и столбца.
Выбранная строка ячеек называется страницей, а n-е количество страниц объединены в банки памяти. Каждая страница подключена к системе адресации строк и столбцов. Чип может содержать несколько таких банков – 4, 8 или более.
При чтении на линии выбора столбцов (битовая линия) подается половинное напряжение питания. Предположим, что оно равно 1.2 В, значит, на шинах выбора столбцов будет 0.6 В. Питание подается на короткое время, после чего линия отключается от общего провода («земли»). Каждая линия обладает определенной емкостью, т. е. фактически представляет собой конденсатор. Напряжение на линиях строк при этом равно нулю, управляющие транзисторы ячеек закрыты.
В действительности, у каждого столбца есть не одна, а пара линий шины строк, которые называются «+» и «-», или четные и нечетные. Между этими парами линий перекрестно установлены инверторы, выполняющие роль усилителей. На обеих линиях устанавливается одинаковое напряжение, т. е. те самые 0.6 В.
Теперь контроллер памяти выдает адрес строки и на нужную строку подается высокое напряжение. Транзисторы открываются и происходит считывание из всех ячеек этой строки в блоке памяти. Физически это означает, что транзисторы каждой ячейки строки открываются, и через них начинает идти ток. Если конденсатор ячейки хранил заряд (логическая «1») то ток течет из конденсатора в одну из двух битовых линий. Если конденсатор был разряжен («логический «0»), то в обратную сторону.
На одной из битовых линий напряжение немного увеличивается, в то время как на другой остается прежним — 0.6 В. Положительная обратная связь перекрестных инверторов приводит к тому, что на одной из двух битовых линий напряжение увеличивается, а на другой соответственно уменьшается до тех пор, пока одна линия не достигнет, условно, напряжения в 1.2 В, а на другой будет 0 В.
И все бы хорошо, но не обходится без проблем. Сама по себе ячейка, представляющая собой пару транзистор-конденсатор, разового действия и короткоживущая. Не в физическом смысле, а в плане хранения данных. Объясню, что это значит.
Процесс считывания информации из ячейки является деструктивным, т. е. разряжает конденсатор, а это приводит к искажению информации (считали значение – разрядили конденсатор, одноразовое действие). Поэтому, если не принять срочных мер, после считывания информации из ячейки там окажется логический «0», даже если до этого была единица. А ведь мы просто читали из ячейки и ничего менять не собирались.
Такой «срочной мерой» является обновление информации в ячейке, т. е. фактически происходит перезапись ее. Занимается этим сам чип RAM под управлением контроллера. Как это происходит?
В зависимости от того, на какой битовой линии увеличивалось напряжение, происходит подзарядка конденсатора ячейки, в которой хранилась «1», или наоборот, разрядка его, чтобы считывался «0». Выбранная ячейка подключается к шине данных и значение передается контроллеру памяти.
Проблемам видимо скучно приходить в одиночку, и помимо разряда конденсатора при чтении есть еще одна неприятность – конденсатор разряжается как сам по себе (саморазряд), так и за счет утечки в транзисторе между стоком и подложкой.
Чтобы компенсировать это, требуется регенерация памяти. Выполняется она регулярно через определенный интервал времени, например, каждые 64 мс или чаще. Во время регенерации обслуживаемые строки памяти недоступны, т. е. никакие операции чтения/записи производить нельзя.
Выполняться эта операция может по-разному. В некоторых системах все строки банков памяти обновляются одновременно. Может использоваться и метод последовательной регенерации строк.
Думаю, достаточно про устройства DRAM, ибо эта тема весьма обширная, и в механизмы работы ячеек, страниц и проч. можно погружаться долго
Важно то, что оперативная память – это не просто полка, куда что-то положили, и оно там лежит, пока не понадобится. В смысле, оно там конечно лежит, но не скучает, а в тайне от нас участвует во множестве процессов, чтобы мы нашли положенное в том же месте целым и невредимым
Что такое Unbuffered ECC?
Unbuffered ECC — это технология, используемая в системах компьютерной памяти для обеспечения надежности и исправления ошибок. Термин «ECC» означает «коррекция ошибок», а «Unbuffered» означает, что память выполняет функции контроля ошибок без использования дополнительных буферов или регистров.
Unbuffered ECC-память используется в системах, где надежность и целостность данных играют важную роль
Это особенно важно в серверных и рабочих станциях, где неполадки в памяти могут привести к сбоям и потере данных
Основная цель Unbuffered ECC состоит в том, чтобы обнаруживать и исправлять ошибки в памяти, которые могут произойти вследствие электромагнитных помех, ошибок чтения/записи или других аппаратных проблем. Для этого в память добавляются дополнительные биты — биты коррекции ошибок (ECC-код), которые хранят информацию о проверке данных и могут быть использованы для исправления ошибок.
Если при обращении к памяти обнаруживается ошибка, Unbuffered ECC-память пытается автоматически исправить ошибку, используя информацию из ECC-кода. Если исправление невозможно, то система получает уведомление о наличии ошибок и может принять соответствующие меры для их устранения.
Однако стоит отметить, что Unbuffered ECC-память может быть дороже и иметь небольшую накладную плату в сравнении с обычной памятью без коррекции ошибок. Поэтому не во всех системах она может быть рациональным выбором
Вариант использования Unbuffered ECC-памяти следует принимать во внимание при проектировании систем с повышенными требованиями к надежности и целостности данных
Задержки (тайминги)
Чаще всего в характеристиках на модули памяти указываются 3-4 значения в строке «тайминги», они же задержки, они же латентность, т. е. время, необходимое на выполнение тех или иных операций. Далее мы разберем их чуть подробнее. В реальности разных задержек много, но четыре считаются основными и наиболее важными при выборе RAM, особенно параметр CAS.
Чтобы разбираться конкретно, возьмем конкретный же модуль памяти, например, Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Это 8-гигабайтная планка RAM с тактовой частотой 2 133 МГц. Давайте обратимся к ее характеристикам, в частности, к строчке «тайминги», где указано: «17-17-17». Что это за цифры, что означают? Вот с этим и предстоит разобраться.
Сначала выясним, что к чему относится. Так, «17-17-17» — это значения таймингов «CL/tRCD/tRP» соответственно. Если указан четвертый тайминг, то это обычно tRAS.
CAS(CL)
CAS расшифровывается как Column Address Strobe, в спецификациях обычно обозначается «CL». Это задержка между моментом, когда контроллер выдал памяти запрос адреса столбца блока, содержащего данные, и началом поступления первого бита информации. При этом нужная строка блока уже выбрана, и тем самым мы имеем все данные для чтения нужной ячейки памяти.
CAS показывает, сколько тактов длится эта задержка. Тут просится вывод, что чем меньше это значение, тем лучше. Отчасти да, но не совсем.
Прибегнем к аналогии. Есть два (не полтора, а именно два) землекопа. Один может выкопать необходимую ямку за 17 взмахов лопатой, второму понадобится 22 таких же телодвижения
Внимание, вопрос: кто из работников лучше?
Я бы не торопился с ответом, т. к. мы пока еще не получили весь необходимый объем исходных данных. В частности, сколько времени тратит каждый из работников на выполнение задачи. Первый делает свое дело не спеша и с перекурами. Второй работает быстрее и курит меньше.
Теперь есть все основания предполагать, что второй справится с работой быстрее, хотя и затрачивает на нее больше движений. Значит, как исполнитель он выгоднее. Вопросы оплаты труда, условий работы и проч. не учитываем, мы же про аналогии говорим.
Получается, что реальная задержка зависит как минимум от двух параметров – количества тактов и частоты работы. Это приводит нас выводу, что для вычисления реальной задержки нам надо посчитать затрачиваемое на нее время.
Сделаем это. Формула проста, делим 1 на значение реальной частоты (для 2 133 МГц это 1 066) и умножаем на значение CAS, результат будет в наносекундах:
(1/1 066) * 17 = 15.9 нс
Таким образом, на CAS со значением 17 для модуля с частотой 2 133 МГц необходимо чуть меньше 16 нс.
Если возьмем такой же модуль памяти, но с частотой 3 200 МГц (Crucial CT8G4DFRA32A), то CAS у него будет уже равняться 22. Опять посчитаем время задержки:
(1/1 600) * 22 = 13.8 нс
Вот и получается, что второй «землекоп» хоть и будет больше махать лопатой, но выполнит работу немного быстрее.
Если еще учесть, что у более высокочастотного модуля RAM и пропускная способность больше (у выбранных в качестве примеров модулей CT8G4DFS8213 и CT8G4DFRA32A это 17 000 МБ/с и 25 600 МБ/с соответственно), то производительность второго модуля выше, как и стоимость. Главное, чтобы система смогла использовать все возможности установленной RAM.
tRCD
Расшифровывается как Row Address to Column Address Delay. Это минимальное количество тактов между моментом активации строки банка данных (выдача сигнала на выбор строки RAS) и доступом к столбцу (начало чтения и, соответственно, задержки CAS).
tRAS
Помните цитату из фильма:
Вот и в данном случае речь именно про «подожди ты». Это количество циклов, в течение которых выбранная строка должна находиться в активном состоянии до того момента, как будет запущена процедура регенерации. Причем это минимальное значение, т. е. если задержка CAS – это фиксированное значение, то tRAS – изменяемая величина.
По сути, это ожидание окончания цикла выборки данных, чтобы начать обновление ячеек. Величину этой задержки можно принять равной tRCD+CL+время на обработку команд и некоторые иные служебные нужды.
Например, у 8-гигабайтного модуля Crucial Ballistix BL8G30C15U4B с частотой 3 000 МГц эта задержка равна 35 (основные тайминги — 15-16-16-35).
tRP
Расшифровывается Row Precharge, т. е. минимальное время от получения команды на выполнение зарядки (precharge) банка памяти и получением следующей команды на активацию строки tRCD.
The architecture of DIMM
DIMM can easily be considered as the printed circuit on the motherboard of your device. It is mainly integrated with the DRAM and SDRAM integrated circuits.
Not forgetting, several other components and factors play a huge role in the performance of a device.
To enhance the performance standards and promise a better running time for the computer, the density of the chip is incremented.
Many manufacturers used 16GB and 8 GB chips, but there was a concern about the coaling. When the manufacturers enhanced the density of the chip to 64GB, there was an impactful reduction in the heat.
This is why most computers now have heat reduction technologies to minimize the heat generated from the DIMMs.
One of these advancements is the cooling fins which were included for excess heat venting. In this case, the heat was vented from the board to the exit ways of the computer.
DIMM
Модули памяти DIMM обычно содержат стандартные микросхемы SDRAM или DDR SDRAM и отличаются друг от друга физическими характеристиками. Стандартный модуль DIMM имеет 168 выводов, по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза в области контакта. Модули DDR DIMM имеют 184 вывода, по два паза с каждой стороны и один паз в области контакта. Ширина тракта данных модулей DIMM равняется 64 разрядам (без контроля четности) или 72 разрядам (с контролем четности или поддержкой кода коррекции ошибок ЕСС). На каждой стороне платы DIMM расположены различные выводы сигнала. Именно поэтому они называются модулями памяти с двухрядным расположением выводов. Модуль памяти RIMM также двухсторонний. На сегодняшний день существует только один 184-контактный модуль, имеющий по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза, расположенных в центральной части области контакта. Микросхемы динамической памяти (DRAM), установленные в модулях разных типов (SIMM, DIMM или RIMM), имеют разные характеристики. Быстродействие модулей SIMM варьируется в пределах от 50 до 120 нс на частотах 66, 100 и 133 МГц. Модули памяти DDR DIMM имеют частоту 1600 и 2100 Мбайт/с. Для передачи параметров синхронизации и скорости в модули памяти DIMM и RIMM встраивают ПЗУ (ROM). Из-за этого рабочая частота контроллера памяти и шины памяти в большинстве систем соответствует наименьшей частоте установленных модулей. В модулях DIMM и DDR DIMM используются микросхемы SDRAM. В DIMM передача данных происходит в виде высокоскоростных пакетов, а в DDR дважды в течение одного такта. Микросхемы памяти SDRAM поддерживают частоту шины до 133 МГц, в то время как модули памяти DR DIMM — до 266 МГц. Модули DIMM различаются также наличием или отсутствием буфера и разным напряжением питания. Для нормальной работы всей системы нужно учитывать эти характеристики при замене деталей.
Совместимость типов памяти
Существует заблуждение, что из-за особенностей интерфейса планку памяти невозможно вставить в неподходящие слоты. Скажу так: достаточно сильный парень (и даже некоторые девчонки) вставит что угодно куда угодно – не только оперативную память, но и процессор Intel в слот для AMD. Правда, есть одно НО: работать такая сборка, увы, не будет.
Остальные юзеры, собирающие компы аккуратно, обычно оперативку вставить в неподходящий слот не могут. Даже если планки имеют одинаковые габариты, это не позволит сделать так называемый ключ. Внутри слота есть небольшой выступ, не дающий смонтировать несоответствующий тип ОЗУ. На подходящей же планке в этом месте есть небольшой вырез, поэтому вставить ее можно без проблем.
Как выбрать
Выбор оперативной памяти для компьютера может существенно повлиять на его производительность
Расскажем, на что стоит обратить внимание:
Убедитесь, что оперативная память совместима с вашей материнской платой. Проверьте официальные спецификации материнской платы или воспользуйтесь онлайн-инструментами для выбора совместимой памяти.
Решите, сколько оперативной памяти вам необходимо. Обычно для повседневных задач и игр 8-16 ГБ являются достаточными, но для более ресурсоемких приложений, монтажа видео и работы с большими данными может потребоваться 32 ГБ и более.
Определитесь с типом памяти (например, DDR4). Современные системы обычно используют более новые стандарты, такие как DDR4 или DDR5
Учтите, что старые поколения памяти могут не работать на новых материнских платах компьютера.
Выберите тактовую частоту, учитывая совместимость с вашей материнской платой и другими компонентами
Высокая тактовая частота может улучшить производительность, но также важно соблюдать совместимость.
Уделите внимание значениям таймингов. Более низкие значения могут улучшить производительность, но иногда незначительно
Важно соблюдать баланс между тактовой частотой и таймингами.
Приобретайте продукцию у надежных брендов
Читайте отзывы и рецензии пользователей для оценки надежности и производительности конкретной модели памяти.
Учтите свой бюджет. Оперативная память с различными характеристиками для компьютера доступна в различных ценовых диапазонах. Постарайтесь найти баланс между производительностью и стоимостью, соответствующий вашим требованиям.
Правильный выбор оперативной памяти зависит от ваших потребностей, совместимости с остальными компонентами системы и доступного бюджета.
B-die, C-die, E…
Интересующиеся темой (про гуру в разгоне я не говорю) наверняка не раз встречали упоминание чипов DRAM Samsung B-die. А у Micron, например, E-die… Это степпинги памяти, которые могут существенно повлиять на скорость работы и разгонные возможности того или иного DIMM.
У меня нет цели углубляться в вопрос оверклокинга RAM. Да и не получится, ибо тема эта неисчерпаема, что подтверждают многостраничные, порой, на сотни и сотни страниц ветки в тематических форумах.
Важно знать, что каждый производитель чипов DRAM (не производитель модулей памяти, а именно чипов) выпускает несколько версий своих микросхем. Отражается это в маркировке степпинга
Так, у Самсунга это A-die, B-die, C-die и прочие. Примерно так же маркируются чипы Micron.
Легендарными среди «гонщиков» являются в первую очередь B-die от Samsung. На изображении выше показана структура микросхемы DDR4 B-die емкостью 8 Гб K4A8G085WD-BCTD производства Samsung. Модули с ними потенциально наиболее гонибельные. Потенциально, потому что нельзя обеспечить абсолютно одинаковые характеристики чипов в разных партиях.
Вполне может попасться модуль, который разгонится, но не дотянет до частот, которые дались знакомому на таком же модуле и на схожей системе. Просто не очень повезло с конкретными чипами. Даже в наборе из двух модулей на B-die оба будут хороши, но один все же окажется чуть хорошее.
В 2019 году планировалось прекращение производства чипов B-die, но произошло ли это в реальности тогда, или произошло позже, или она производится до сих пор – утверждать не стану. В любом случае, если повезло стать обладателем модулей на этих чипах, то хорошая скорость работы, невысокие задержки и разгонный потенциал входят в стоимость.
При оверклокинге речь идет не только о частотах, на которых достигается стабильность работы, но и таймингах, ибо разгон памяти — это не только и не столько гонка за частотой, сколько баланс между оной и задержками.
У других брендов оверклокерскими считаются: E-die у Micron, Hynix C-die CJR. В каких модулях находятся какие чипы из спецификаций не узнать. Ориентироваться надо на обзоры, отзывы владельцев и данные, выдаваемые различными утилитами. Например, подробную информацию о модулях памяти выдает утилита Thaiphoon Burner.
Вывод
Что же такое ОЗУ? – подытожим. Оперативная память, часто называемая оперативкой, является неотъемлемой частью любого современного персонального компьютера (ПК).
Зачем она нужна на вашем компьютере? Этот важный компонент играет ключевую роль в обеспечении быстрой и эффективной работы системы, выполняя множество задач в реальном времени. В сегодняшних компьютерах оперативка обладает различными характеристиками, необходимыми для эффективного функционирования. Один из основных параметров – тактовая частота, измеряемая в мегагерцах (МГц)
Чем выше частота, тем быстрее оперативка выполняет команды и операции, что особенно важно при выполнении ресурсоемких задач, таких как игровые приложения или редактирование видео
Существует несколько видов оперативной памяти, включая DDR (Double Data Rate), различающиеся по производителям, таким как Corsair, Kingston, и многим другим. Выбор конкретного типа оперативки зависит от требований и совместимости с материнской платой ПК.
Важны также модули ОЗУ. Форм-фактор и различные режимы работы – еще два интересных аспекта. Оперативные планки могут иметь разные размеры и формы, а поддержка различных режимов (например, Dual Channel) позволяет использовать две планки одновременно, увеличивая производительность системы. Оперативка также отличается максимальной емкостью, измеряемой в гигабайтах (ГБ). В пример можно привести объем ОЗУ 4 Гб, 8 Гб
Конечно, современные ПК могут установить оперативную память в несколько десятков гигабайт, что особенно важно для игровых систем или задач видеомонтажа
Игровые ПК часто требуют особого внимания к оперативной памяти. Высокая частота, низкая задержка (CAS latency) и поддержка XMP (eXtreme Memory Profile) – все это факторы, делающие оперативку идеальным компонентом для игровых систем
Важно также такое понятие, как пропускная способность (или пропускная способность памяти) – она представляет собой меру того, как быстро данные могут передаваться между ОЗУ и другими компонентами компьютера, такими как процессор, графическая карта и т. д
Это ключевой параметр, оказывающий влияние на общую производительность системы.
Современные технологии также влияют на разработку оперативной памяти. Возможность установки микросхем с высокой плотностью, использование новейших технологий, таких как DDR5, и поддержка смартфонов и ноутбуков – все это делает ОЗУ еще более универсальной и востребованной.
Оперативная память также является частью комплекса технологий, включая блоки питания, видеокарты, SSD-накопители и другие элементы, определяющие производительность ПК. Благодаря специальным технологиям, таким как динамическая обновляемая память (Dynamic RAM), ПК могут быстро выполнять множество задач одновременно.
В зависимости от назначения ПК – будь то офисный компьютер, игровая система или специализированная рабочая станция – требования к оперативной памяти могут существенно различаться. Отдельный вариант выбирается в зависимости от задач, которые система должна выполнять.
Важно знать, что оперативная память не является постоянным хранилищем данных, в отличие от SSD-накопителей. Она используется для временного хранения данных, которые система обрабатывает в данный момент
Поэтому ее содержимое теряется при выключении ПК.